村田硅電容器的結(jié)構(gòu)

利用干法蝕刻技術(shù)的BOSCH工藝。BOSCH工藝是硅加工特有的技術(shù)，它可以讓通過(guò)SF6氣體進(jìn)行蝕刻和通過(guò)C4F8形成保護(hù)膜高速重復(fù)，從而實(shí)現(xiàn)高縱橫比蝕刻。

村田硅電容器的特點(diǎn)

硅電容器采用村田獨(dú)家技術(shù)通過(guò)深溝槽及三角架支柱的結(jié)構(gòu)，獲得了比平面結(jié)構(gòu)大100倍的電極表面積，實(shí)現(xiàn)了緊湊封裝。另外，因?yàn)楣桦娙萜鞯碾娊橘|(zhì)使用了溫度補(bǔ)償類材料，所以在實(shí)際使用條件下容量不會(huì)減少，達(dá)到了上下電極式小型產(chǎn)品領(lǐng)域中的最大級(jí)別靜電容量密度。

村田硅電容伴隨高速大容量通信技術(shù)而來(lái)的信號(hào)寬帶化及挑戰(zhàn)

為了達(dá)到伴隨高速大容量通信，村田代理商智成電子如何利用比現(xiàn)行帶寬高數(shù)倍至數(shù)十倍的帶寬已成為一大研究課題。但眾所周知，若以大功率輸出寬帶信號(hào)，功率放大器模塊（PAM）內(nèi)將會(huì)出現(xiàn)互調(diào)失真（IMD）問(wèn)題，降低信號(hào)完整性。IMD的頻率與帶寬成正比例關(guān)系，2階IMD中造成問(wèn)題的頻率在Sub6GHz中最大達(dá)到400MHz，在毫米波中則達(dá)到數(shù)GHz。

應(yīng)用對(duì)象：基站的射頻功率放大器模塊

村田硅電容去耦解決方案

村田代理商深圳智成以下將介紹消除二階IMD的方法。IMD的低頻段可通過(guò)與場(chǎng)效應(yīng)管的漏極相連的偏置電路消除，但是IMD的高頻段因?yàn)槭艿接糜赗F-Blocking的微帶線等的影響，難以在功率放大器模塊外消除。在此要介紹的方法就是，將硅電容器（Si-Cap）直接用于功率放大器模塊內(nèi)的金屬基板上，通過(guò)打線方式將硅電容與FET連接。
通過(guò)這種方法，利用在實(shí)際使用條件下能夠保持大容量的小型硅電容器，可以在功率放大器模塊的有限空間內(nèi)消除IMD。

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