貼片電容作為主要可以分為NPO電容；X7R電容；Z5U電容和Y5V電容。村田代理商在相同的體積下由于填充介質不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器時應根據(jù)電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。它們的區(qū)別是：NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是分析它們的填充工作介質進行不同。在相同的體積下由于數(shù)據(jù)填充材料介質具有不同所組成的電容的容量就不同，隨之發(fā)展帶來的電容的介質傳播損耗、容量以及穩(wěn)定性等也就導致不同。

貼片電容材料種類——NPO電容

NPO是一種最常用的具有一定溫度進行補償功能特性的單片陶瓷電容。它的填充介質是由銣、釤和一些企業(yè)其它稀有金屬氧化物主要組成的。

NPO電容是電容量和介質材料損耗最穩(wěn)定的電容技術之一。在溫度從-55℃到 125℃時容量變化為0±30ppm/℃，電容量隨頻率的變化影響小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后時間小于±0.05%，相對價值大于±2%的薄膜進行電容來說是我們可以忽略企業(yè)不計的。其典型的容量發(fā)展相對合理使用網絡壽命的變化明顯小于±0.1%。NPO電容隨封裝結構形式存在不同其電容量和介質傳播損耗隨頻率不斷變化的特性也不同，大封裝設計尺寸的要比小封裝以及尺寸的頻率相關特性好。下表給出了NPO電容可選取的容量研究范圍。

封裝 DC=50V DC=100V

0805 0.5---1000pF 0.5---820pF

1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF

1210 560---5600pF 560---2700pF

2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF

NPO 電容適用于振蕩器、諧振器和高頻電路中的耦合電容中的縫隙電容。

貼片電容種類——X7R電容

X7R電容可以被稱為環(huán)境溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容。當溫度在-55℃到 125℃時其容量變化為15%，需要我們注意的是此時電容市場容量不斷變化發(fā)展是非進行線性的。

X7R電容的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時間的變化而變化，大約每10年變化1%ΔC，表現(xiàn)為10年變化了約5%。

X7R 電容主要用于要求較低的工業(yè)應用，當電壓變化時，它們的容量變化是可以接受的。它的主要特點是在相同體積下可以使電容變大。下表顯示了 X7R 電容的可選容量范圍。

封 裝 DC=50V DC=100V

0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF

1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF

1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF

2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF

貼片電容 -Z5U 型電容

Z5U 電容被稱為“通用”陶瓷單片電容。這里首先要考慮的是使用溫度范圍，因為 Z5U 電容的主要特點是體積小、成本低。對于上述三種陶瓷單片電容，Z5U 電容在相同體積下具有最大的電容。